Pekino „SineNoscience FullCryo Technology Co., Ltd“. žengė reikšmingą žingsnį į priekį investuodamas į „1400 nm3/H "Argon atkūrimo sistema Jiangsu Jingpin New Energy Co. 2024 m. Kovo 8 d. Argono atkūrimo sistema, esanti savo silicio medžiagos projekto kristalų traukimo procese, sėkmingai pagamino reikiamas dujas. TaiArgono atkūrimo sistema, suprojektavo ir pagamino Šanchajaus „Lifengas“, žymi dar vieną Šanchajaus Lifengas laimėjimą silicio medžiagų gamybos srityje. Šis pasiekimas parodo gilų Shanghai Lifengas stiprumą žiedinėje ekonomikoje ir ekologiškoje gamyboje.
Žvelgiant iš platesnės perspektyvos, šis pasiekimasŠanchajus Lifengastaip pat atspindi naujos Kinijos energetikos pramonės nepriklausomų inovacijų galimybių atspindį. Šis pasiekimas ne tik parodo Kinijos stiprumą aukštųjų technologijų medžiagų srityje, bet ir suteikia naujų sprendimų, kaip gaminti ir pritaikyti pasaulinę silicio medžiagą, skatinant tvarią visos pramonės plėtrą.
Sėkmingas šio projekto įgyvendinimas dar labiau skatins suderintą aukščiau esančių ir pasroviui esančių pramonės grandinių plėtrą. „Argon Recovery“ technologijos brandos ir pritaikymas sukurs naujas susijusios įrangos gamybos, automatizavimo kontrolės, aplinkos apsaugos gydymo ir kitų sričių plėtros galimybes, sudarydami interaktyvią ir progresyvią pramonės ekosistemą.
Ateitis labai žada silicio medžiagų pramonę, nes šios efektyvios ir ekologiškos argono atkūrimo technologijos skatinimas lems ekologiškesnį ir ekologiškesnį „Polysilicon“ gamybos procesą, kartu padidins produktų kokybę. Tai turi didelę reikšmę ne tik pačiam silicio medžiagų pramonei, bet ir tvariam visuomenės vystymuisi. Sėkminga Pekino „SineScience Fullcryo“ dujų gamybaArgono atkūrimo sistema„Jiangsu Jingpin“ silicio medžiagų kristalų traukimo įrenginyje projektas yra technologinių inovacijų ir pramonės atnaujinimo įrodymas, kartu prisidedantis prie aplinkos apsaugos. Tai žymi dar vieną reikšmingą žingsnį savarankiškoje Kinijos naujovėje silicio medžiagų srityje ir prisideda prie kinų išminties tvaraus pasaulinės silicio medžiagų vystymosi.
Pašto laikas: 2012 m. Gegužės 13 d
